[实用新型]高匹配度的高效晶硅异质结太阳能电池电极结构有效
申请号: | 201822090104.2 | 申请日: | 2018-12-13 |
公开(公告)号: | CN209087856U | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | 郭小勇;易治凯;汪涛;王永谦 | 申请(专利权)人: | 江苏爱康能源研究院有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 江阴市扬子专利代理事务所(普通合伙) 32309 | 代理人: | 隋玲玲 |
地址: | 215600 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及的一种高匹配度的高效晶硅异质结太阳能电池电极结构,它包括N型晶体硅片,所述N型晶体硅片的正面和背面均设有非晶硅本征层,所述正面的非晶硅本征层的外侧设有n型非晶硅掺杂层,所述n型非晶硅掺杂层的外侧设有n面TCO导电膜;所述背面的非晶硅本征层外侧设有p型非晶硅掺杂层,所述p型非晶硅掺杂层的外侧设有p面TCO导电膜;所述n面TCO导电膜采用功函数低于p面TCO导电膜的TCO作为透明导电减反射层。本实用新型通过双面沉积不同TCO的方式,n面采用低功函数的TCO,p面采用高功函数的TCO,使非晶硅掺杂层与TCO形成良好的接触,降低非晶硅掺杂层与TCO的接触电阻,减少接触损失,提升HJT太阳能电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 掺杂层 导电膜 非晶硅本征层 异质结太阳能电池 本实用新型 电极结构 高匹配度 非晶硅 晶硅 光电转换效率 太阳能电池 低功函数 高功函数 减反射层 接触电阻 双面沉积 透明导电 功函数 背面 | ||
【主权项】:
1.一种高匹配度的高效晶硅异质结太阳能电池电极结构,它包括N型晶体硅片(1),所述N型晶体硅片(1)的正面和背面均设有非晶硅本征层(2),其特征在于:所述正面的非晶硅本征层(2)的外侧设有n型非晶硅掺杂层(3),所述n型非晶硅掺杂层(3)的外侧设有n面TCO导电膜(5),所述n面TCO导电膜(5)的外侧设有若干Ag电极(7);所述背面的非晶硅本征层(2)外侧设有p型非晶硅掺杂层(4),所述p型非晶硅掺杂层(4)的外侧设有p面TCO导电膜(6),所述p面TCO导电膜(6)的外侧设有若干Ag电极(7);所述n面TCO导电膜(5)采用功函数低于p面TCO导电膜(6)的TCO作为透明导电减反射层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏爱康能源研究院有限公司,未经江苏爱康能源研究院有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201822090104.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:多步沉积的高效晶硅异质结太阳能电池结构
- 下一篇:一种石墨烯晶硅太阳电池结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的