[实用新型]N+区边缘圆弧形结构的P+-I-N+型功率二极管有效
| 申请号： | 201822096901.1 | 申请日： | 2018-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN209312776U | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 程德明;汪瑞昌;汪骏;江文资 | 申请（专利权）人： | 程德明;黄山市瑞宏电器有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 245600 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种N+区边缘圆弧形结构技术，能有效消除普通功率二极管的N+区的尖角部电场强度过于集中引起的反向击穿软特性，能将电力线均匀分布在N+区边缘圆弧形面上，使圆弧形面上的电场强度低于芯片中P+‑I结处的电场强度。当芯片承受的反向电压时升高时，雪崩首先发生在P+‑I结平面处。本实用新型可以使用薄单晶硅片，生产出具有优良正向、反向和高温特性的功率二极管，节能节料，且生产成本不增加。 | ||
| 搜索关键词： | 功率二极管 边缘圆弧 本实用新型 芯片 单晶硅片 反向电压 反向击穿 高温特性 节能节料 结构技术 电力线 软特性 圆弧形 尖角 雪崩 正向 生产成本 升高 生产 | ||
【主权项】：
1.N+区边缘圆弧形结构的P+‑I‑N+型功率二极管，其特征在于：N+区边缘为圆弧形结构，圆弧的半径等于平行N+区的宽度，为50～80um，N+区边缘圆弧与芯片外力成型角相交，相交处深度从阴极的N+平面起算，等于平行N+区宽度的30％～50％。
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