[实用新型]一种高利用率多晶硅片有效
申请号: | 201822097478.7 | 申请日: | 2019-06-27 |
公开(公告)号: | CN209561430U | 公开(公告)日: | 2019-10-29 |
发明(设计)人: | 钱义龙;杨增辉;贾积凯 | 申请(专利权)人: | 青海水利水电集团共和光伏发电有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/0236 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 810000 青海省海南藏*** | 国省代码: | 青海;63 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种高利用率多晶硅片,包括硅片本体、横向固定板和竖向固定板,所述硅片本体上表面设置有凹坑,所述硅片本体和卡槽之间设置有橡胶垫,所述竖向固定板一侧设置有插管,所述插管插接在横向固定板的插孔内,所述竖向固定板上侧设置有滑轨和导向杆,所述滑轨通过滑块和清理辊两端的转轴连接,所述导向杆上端螺纹连接有螺帽,所述导向杆插入第二钢化玻璃层上的圆孔内,所述第二钢化玻璃层和竖向固定板之间设置有弹性件,所述P型硅片一侧设置有第一电极,所述N型硅片一侧设置有第二电极。本实用新型通过凹坑横截面呈椭圆状,凹坑均匀设置在硅片本体上,能够很好的进行陷光,从而很好的提高了太阳光的利用率。 | ||
搜索关键词: | 竖向固定板 硅片本体 导向杆 本实用新型 钢化玻璃层 横向固定板 多晶硅片 高利用率 插管 凹坑 滑轨 螺帽 凹坑横截面 第二电极 第一电极 均匀设置 上端螺纹 转轴连接 弹性件 清理辊 上表面 太阳光 椭圆状 橡胶垫 插接 插孔 滑块 卡槽 陷光 圆孔 | ||
【主权项】:
1.一种高利用率多晶硅片,包括硅片本体(2)、横向固定板(11)和竖向固定板(1),其特征在于:所述硅片本体(2)上表面设置有凹坑(3),所述硅片本体(2)四周卡接在横向固定板(11)和竖向固定板(1)上的卡槽(13)内,所述硅片本体(2)和卡槽(13)之间设置有橡胶垫(14),所述橡胶垫(14)粘接在卡槽(13)内壁上,所述竖向固定板(1)一侧设置有插管(12),所述插管(12)插接在横向固定板(11)的插孔内,所述横向固定板(11)和竖向固定板(1)之间通过连接螺栓连接,所述竖向固定板(1)上侧设置有滑轨(8)和导向杆(4),所述滑轨(8)通过滑块(9)和清理辊(10)两端的转轴连接,所述导向杆(4)上端螺纹连接有螺帽,所述导向杆(4)插入第二钢化玻璃层(22)上的圆孔内,所述第二钢化玻璃层(22)和竖向固定板(1)之间设置有弹性件(5),所述硅片本体(2)包括第一钢化玻璃层(20)、P型硅片(19)、N型硅片(18)和聚氟乙烯复合膜(17),所述P型硅片(19)一侧设置有第一电极(6),所述N型硅片(18)一侧设置有第二电极(7),所述第一电极(6)和第二电极(7)穿出竖向固定板(1)上的通孔(15),所述通孔(15)内壁设置有绝缘圈(16)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于青海水利水电集团共和光伏发电有限公司,未经青海水利水电集团共和光伏发电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201822097478.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种封装前板
- 下一篇:一种太阳能发电的中空玻璃
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的