[实用新型]一种反式注入合成连续VGF晶体生长坩埚及装置有效
| 申请号： | 201822102284.1 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN209456611U | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 王书杰;孙聂枫;孙同年;刘惠生;史艳磊;邵会民;付莉杰;姜剑;张晓丹;李晓岚;王阳 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/40 |
| 代理公司： | 石家庄众志华清知识产权事务所(特殊普通合伙) 13123 | 代理人： | 聂旭中 |
| 地址： | 050000 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 一种反式注入合成连续VGF晶体生长坩埚及装置，涉及半导体晶体制备与单晶生长的装置，具体涉及一种反式注入合成连续VGF法进行晶体生长装置。装置包括炉体、安装在炉体内的坩埚、保温系统、加热系统、温度控制系统及气压调节系统，所述坩埚上部为合成部、下部为晶体生长部和籽晶部，合成部与晶体生长部之间通过毛细孔连通。使用毛细孔，通过温度和压力控制，在材料合成阶段，磷气泡上升到铟熔体，可以使两种物质充分融合，磷气化完成后，铟磷熔体滴入生长部，完成晶体的原位生长。 | ||
| 搜索关键词： | 合成 反式 晶体生长坩埚 晶体生长 毛细孔 熔体 坩埚 晶体生长装置 气压调节系统 温度控制系统 半导体晶体 保温系统 材料合成 单晶生长 加热系统 压力控制 原位生长 晶体的 磷气化 滴入 炉体 籽晶 铟磷 制备 连通 体内 融合 生长 | ||
【主权项】：
1.一种反式注入合成连续VGF晶体生长坩埚，包括合成部（10‑1）、晶体生长部（10‑3）及底端的籽晶部（10‑4），其特征在于，所述合成部（10‑1）设置在晶体生长部（10‑3）的上方，并借助中间毛细孔（10‑2）与晶体生长部（10‑3）连通；所述籽晶部（10‑4）在晶体生长部（10‑3）下方，且两者连通。
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