[实用新型]一种多电压域复位延迟电路有效
申请号: | 201822126690.1 | 申请日: | 2018-12-18 |
公开(公告)号: | CN209201038U | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 马红玲;王岩琴;崔洪艺 | 申请(专利权)人: | 宁波德晶元科技有限公司 |
主分类号: | H03K17/22 | 分类号: | H03K17/22;H03K17/284 |
代理公司: | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(特殊普通合伙) 33243 | 代理人: | 毛凯 |
地址: | 315104 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种多电压域复位延迟电路,用以解决现有技术的复位延迟电路使用比较器占用较大面积,集成性低,不能控制复位时间以及不具备电压监控的问题,本电路包括偏置电路、第一开关控制电路、第二开关控制电路以及复位信号产生电路;所述偏置电路、第一开关控制电路、第二开关控制电路以及复位信号产生电路之间电连接。本复位延迟电路,能够实现多电压域复位,其利用NMOS管和PMOS管组合替代比较器,系统集成性高,并且复位时间可控,输出信号稳定以及具有电压监控特性,可以根据VCC变换输出对应的高或者低电平。 | ||
搜索关键词: | 复位 延迟电路 多电压 复位信号产生电路 开关控制电路 第一开关 电压监控 控制电路 偏置电路 比较器 本实用新型 时间可控 输出信号 系统集成 低电平 电连接 集成性 电路 占用 输出 替代 | ||
【主权项】:
1.一种多电压域复位延迟电路,其特征在于,包括:偏置电路、第一开关控制电路、第二开关控制电路以及复位信号产生电路;所述偏置电路包括:第一电流源、第一电流镜;其中,第一电流源的一端接地,第一电流源的另一端接第一电流镜的输入端,第一电流镜的另一端接第一电源电压(VCC1);所述第一开关控制电路包括:第一MOS管(M1)、第一PMOS管(MP0)、第一NMOS管(MN0)以及第二电流镜;其中,第一MOS管(M1)的漏极和第一电流镜的输出端、第一PMOS管(MP0)的栅极以及第一NMOS管(MN0)的栅极连接于结点(A),第一MOS管(M1)的源极和第一NMOS管(MN0)的源极连接,第一NMOS管(MN0)的漏极和第一PMOS管(MP0)的漏极连接,第一PMOS管(MP0)的源极和第二电流镜的输入端连接,第二电流镜的另一端接第一电源电压(VCC1);所述第二开关控制电路包括:第三电流镜、第二PMOS管(MP1)、第三PMOS管(MP2)、第四PMOS管(MPK)、第四NMOS管(MN3),所述第三电流镜包括:第二NMOS管(MN1)和第三NMOS管(MN2);其中第二NMOS管(MN1)的漏极和第二电流镜的输出端、第二NMOS管(MN1)的栅极以及第三NMOS管(MN2)的栅极连接,第三NMOS管(MN2)的漏极和通过结点(C)和第四PMOS管(MPK)的栅极以及第二PMOS管(MP1)的漏极连接,第二PMOS管(MP1)的源极接第二电源电压(VCC2),第二PMOS管(MP1)的栅极和第三PMOS管(MP2)的栅极以及第四NMOS管(MN3)的栅极连接,第三PMOS管(MP2)的源极接第二电源电压(VCC2),第三PMOS管(MP2)的漏极接第四PMOS管(MPK)的源极,第四PMOS管(MPK)的漏极和第四NMOS管(MN3)的漏极连接,第四NMOS管(MN3)的源极和复位信号产生电路的输入端以及第二电流源的一端连接,第二电流源的另一端接地;所述复位信号产生电路,包括电容C1和驱动器;其中,电容C1的一端和第四NMOS管(MN3)的源极以及通过结点(B)和驱动器的输入端连接,电容C1的另一端接地。
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