[实用新型]一种复合栅双极型晶体管器件有效
| 申请号： | 201822128950.9 | 申请日： | 2018-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN209183552U | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 阳平 | 申请（专利权）人： | 上海擎茂微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海百一领御专利代理事务所(普通合伙) 31243 | 代理人： | 王奎宇;甘章乖 |
| 地址： | 201100 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种复合栅双极型晶体管器件，包括半导体衬底、空穴积累层、P型基区、沟槽区、栅氧化层、复合栅电极、虚拟沟槽栅、N+发射极区、P+深阱区、绝缘介质层、发射极电极、N型场终止区、P型集电极区和集电极，空穴积累层、P型基区形成于半导体衬底表面；沟槽区贯穿P型基区和空穴积累层；沟槽区内设栅氧化层；复合栅电极、虚拟沟槽栅形成于沟槽区；N+发射极区、P+深阱区形成P型基区表面并交叠；绝缘介质层形成于沟槽区、N+发射极区和P+深阱区表面；发射极电极与虚拟沟槽栅连接；N型场终止区、P型集电极区、集电极形成于半导体衬底背面。本申请可增大元胞间距，降低器件饱和电流密度并提高器件短路耐受能力。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽区 复合栅 发射极区 空穴积累 沟槽栅 深阱区 双极型晶体管 发射极电极 绝缘介质层 集电极区 栅氧化层 虚拟 电极 集电极 终止区 半导体 半导体衬底表面 衬底背面 降低器件 耐受能力 短路 衬底 交叠 元胞 申请 饱和 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种复合栅双极型晶体管器件，其特征在于，包括：半导体衬底、空穴积累层、P型基区、沟槽区、栅氧化层、复合栅电极、虚拟沟槽栅、N+发射极区、P+深阱区、绝缘介质层、发射极电极、N型场终止区、P型集电极区以及集电极，所述空穴积累层嵌于所述沟槽区的下半部设置；所述P型基区形成于所述空穴积累层表面；所述沟槽区贯穿所述P型基区以及所述空穴积累层设置；其中，在所述沟槽区的侧壁和底壁形成有栅氧化层；所述复合栅电极、所述虚拟沟槽栅单独形成于与其对应设置的所述沟槽区内；所述N+发射极区形成于所述P型基区表面，并与所述复合栅电极形成电连接；所述P+深阱区形成于所述P型基区表面，并与所述N+发射极区交叠设置；所述绝缘介质层形成于所述沟槽区、N+发射极区以及P+深阱区表面；所述发射极电极形成于所述N+发射极区、P+深阱区以及所述绝缘介质层上，其中，所述发射极电极穿过所述绝缘介质层与所述沟槽区内的虚拟沟槽栅连接；所述N型场终止区形成于所述半导体衬底背面；所述P型集电极区形成于所述N型场终止区背面；所述集电极形成于所述P型集电极的背面。
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