[实用新型]一种烧结DBC半导体热电基片氮气炉炉管的进气结构有效
| 申请号： | 201822133784.1 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN209326371U | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 刘孝平;刘瑞生;田茂标;徐勇;刘丽;赵显萍;任文彬;杨海蓉;游炯;黎菊英 | 申请（专利权）人： | 成都万士达瓷业有限公司 |
| 主分类号： | F27D7/02 | 分类号： | F27D7/02 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 苏丹;郑发志 |
| 地址： | 611332 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种烧结DBC半导体热电基片氮气炉炉管的进气结构，其特征在于包括：前进气管、后进气管、前进气管安装装置、前进气管出气口、后进气管安装装置、后进气管出气口和进气结构安装层，所述进气结构安装层上设置有多个前进气管安装装置和后进气管安装装置，所述前进气管通过前进气管安装装置设置在进气结构安装层上，所述后进气管通过后进气安装装置设置在进气结构安装层上，所述前进气管上设置有多个前进气管出气口，所述后进气管设置有多个后进气管出气口。 | ||
| 搜索关键词： | 前进气管 安装装置 进气结构 气管 安装层 半导体热电 气管出气口 烧结 出气口 氮气炉 炉管 本实用新型 | ||
【主权项】：
1.一种烧结DBC半导体热电基片氮气炉炉管的进气结构，其特征在于包括：前进气管（1）、后进气管（2）、前进气管安装装置（3）、前进气管出气口（4）、后进气管安装装置（5）、后进气管出气口（6）和进气结构安装层（7），所述进气结构安装层（7）上设置有多个前进气管安装装置（3）和后进气管安装装置（5），所述前进气管（1）通过前进气管安装装置（3）设置在进气结构安装层（7）上，所述后进气管（2）通过后进气安装装置5设置在进气结构安装层（7）上，所述前进气管（1）上设置有多个前进气管出气口（4），所述后进气管（2）设置有多个后进气管出气口（6）。
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