[实用新型]一种用于DBC半导体基板氮气炉冷却水的循环水池有效
| 申请号： | 201822134518.0 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN209926875U | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 游炯;刘瑞生;田茂标;周富;徐勇;黎菊英;蒲小燕;邓小燕;龚俊红;刘超莉;丁鹏飞 | 申请（专利权）人： | 成都万士达瓷业有限公司 |
| 主分类号： | F27D9/00 | 分类号： | F27D9/00 |
| 代理公司： | 51211 成都天嘉专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 苏丹;郑发志 |
| 地址： | 611332 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种用于DBC半导体基板氮气炉冷却水的循环水池，其特征在于包括：水池主体、补水管、补水口、出水口、出水管、氮气炉冷却区、进水管和进水溢流口，所述水池主体上设置有多根补水管，所述补水管上设置有补水口，所述水池主体的一侧设置有出水口，所述出水口与出水管连通，所述出水管与氮气炉冷却区相连通，所述进水管设置在氮气炉冷却区的一侧与水池主体的另一侧连通。 | ||
| 搜索关键词： | 水池主体 氮气炉 补水管 出水口 冷却区 补水口 出水管 进水管 半导体基板 本实用新型 出水管连通 循环水池 冷却水 溢流口 进水 连通 | ||
【主权项】：
1.一种用于DBC半导体基板氮气炉冷却水的循环水池，其特征在于包括：水池主体（1）、补水管（2）、补水口（3）、出水口（4）、出水管（5）、氮气炉冷却区（6）、进水管（7）和进水溢流口（8），所述水池主体（1）上设置有多根补水管（2），所述补水管（2）上设置有补水口（3），所述水池主体（1）的一侧设置有出水口（4），所述出水口（4）与出水管（5）连通，所述出水管（5）与氮气炉冷却区（6）相连通，所述进水管（7）设置在氮气炉冷却区（6）的一侧与水池主体（1）的另一侧连通。/n
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