[实用新型]适合规模化量产的MWT异质结硅太阳电池有效
申请号: | 201822144652.9 | 申请日: | 2018-12-20 |
公开(公告)号: | CN209056506U | 公开(公告)日: | 2019-07-02 |
发明(设计)人: | 路忠林;吴仕梁;李质磊;张凤鸣 | 申请(专利权)人: | 江苏日托光伏科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/072;H01L31/18 |
代理公司: | 南京乐羽知行专利代理事务所(普通合伙) 32326 | 代理人: | 孙承尧 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开一种适合规模化量产的MWT异质结硅太阳电池,电池包括N型硅基片,N型硅基片正面的本征非晶硅钝化层或者氧化硅钝化层上设有N型非晶硅膜层,N型硅基片反面的本征非晶硅钝化层或者氧化硅钝化层上设有P型非晶硅膜层;电池片正面设有正面金属电极,背面设有背面金属电极和孔洞金属电极,距离每个所述孔洞金属电极点外周刻蚀有连续闭合的绝缘划线,绝缘划线穿透电池片背面的TCO透明导电膜和P型非晶硅膜层。把P型非晶硅薄膜发射极放置到电池片背面,这样孔洞金属电极和侧壁的N型基区不存在漏电问题,在背面孔洞金属电极点周边用激光刻蚀绝缘划线的方式隔离P型非晶硅薄膜和上面的TCO透明导电膜,又阻止了和背面正电极区域的短路。 | ||
搜索关键词: | 孔洞 划线 绝缘 背面 氧化硅钝化层 本征非晶硅 硅太阳电池 透明导电膜 金属电极 钝化层 规模化 金属电 异质结 极点 量产 背面金属电极 正面金属电极 本实用新型 电池片背面 电池片正面 正电极区域 闭合 激光刻蚀 漏电问题 电池片 发射极 短路 侧壁 刻蚀 外周 穿透 电池 隔离 | ||
【主权项】:
1.一种适合规模化量产的MWT异质结硅太阳电池,其特征在于:包括N型硅基片,所述N型硅基片正反两面均设有一层本征非晶硅钝化层或者氧化硅钝化层;所述N型硅基片正面的本征非晶硅钝化层或者氧化硅钝化层上设有N型非晶硅膜层,N型非晶硅膜层上设有TCO透明导电膜;所述N型硅基片反面的本征非晶硅钝化层或者氧化硅钝化层上设有P型非晶硅膜层,P型非晶硅膜层上设有TCO透明导电膜;所述TCO透明导电膜,N型非晶硅膜层,本征非晶硅钝化层或者氧化硅钝化层,N型硅基片,本征非晶硅钝化层或者氧化硅钝化层,P型非晶硅膜层,以及TCO透明导电膜,从正面向反面方向依次层叠构成MWT异质结硅太阳电池片;所述MWT异质结硅太阳电池片正面设有正面金属电极,背面设有背面金属电极和孔洞金属电极;MWT异质结硅太阳电池片上打有与正面金属电极数量和位置一一对应的孔洞,孔洞两端分别对应正面金属电极和孔洞金属电极,正面金属电极和孔洞金属电极连通;距离每个所述孔洞金属电极点外周0.1~1mm处刻蚀有连续闭合的绝缘划线,绝缘划线穿透电池片背面的TCO透明导电膜和P型非晶硅膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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