[实用新型]一种半导体晶圆氧化铝处理及气体测试仪有效
申请号: | 201822150060.8 | 申请日: | 2018-12-20 |
公开(公告)号: | CN209045508U | 公开(公告)日: | 2019-06-28 |
发明(设计)人: | 唐雄 | 申请(专利权)人: | 上海更日敦科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙) 31297 | 代理人: | 赵霞 |
地址: | 201203 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种半导体晶圆氧化铝处理及气体测试仪,本实用新型涉及半导体晶圆技术领域,底座左侧套接有排水管,且托板顶端固定有与其为一体的托盘,托盘顶端开有放置槽,且托板左右两侧均焊接有撑柱,撑柱底端均与底座相接触,且底座顶端嵌接有外壳,外壳前端铰接有透明板,可晶圆表面的清洗液可快速的处理掉,不易影响生产效率,传感器嵌入设置在外壳右侧顶端,且传感器左侧电性连接有感应探头,感应探头左侧套接有遮挡块,且遮挡块外壁嵌接有嵌网,感应探头可对气流进行良好的感应,不易受到外界正常气流的干扰;解决了晶圆需要一定的干涸时间,影响到出产效率,传感器很容易受到外界的气流影响,出现误测的情况的问题。 | ||
搜索关键词: | 半导体晶圆 感应探头 传感器 本实用新型 气体测试仪 氧化铝处理 托盘 撑柱 嵌接 套接 托板 底座 遮挡 影响生产效率 排水管 底座顶端 电性连接 晶圆表面 气流影响 嵌入设置 正常气流 左右两侧 放置槽 清洗液 透明板 底端 铰接 晶圆 外壁 焊接 干涸 | ||
【主权项】:
1.一种半导体晶圆氧化铝处理及气体测试仪,所述半导体晶圆氧化铝处理及气体测试仪包括底座(1)、定位柱(103)和托板(2),所述定位柱(103)的数量为两个,且定位柱(103)分别固定连接在底座(1)顶端中部前后两侧,所述托板(2)底端开有槽,且托板(2)底端通过槽与定位柱(103)活动连接,其特征在于:所述底座(1)左侧套接有排水管(102),且托板(2)顶端固定有与其为一体的托盘(202),所述托盘(202)顶端开有放置槽(203),且托板(2)左右两侧均焊接有撑柱(201),所述撑柱(201)底端均与底座(1)相接触,且底座(1)顶端嵌接有外壳(3),所述外壳(3)前端铰接有透明板(301),且外壳(3)顶端中部前侧嵌入设置有水泵(5),所述外壳(3)顶端中部后侧嵌入设置有气泵(4);传感器(6),所述传感器(6)嵌入设置在外壳(3)右侧顶端,且传感器(6)左侧电性连接有感应探头(601),所述感应探头(601)左侧套接有遮挡块(602),且遮挡块(602)外壁嵌接有嵌网(603)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造