[实用新型]一种MWT异质结硅太阳电池有效
申请号: | 201822151072.2 | 申请日: | 2018-12-20 |
公开(公告)号: | CN209056507U | 公开(公告)日: | 2019-07-02 |
发明(设计)人: | 路忠林;吴仕梁;李质磊;张凤鸣 | 申请(专利权)人: | 江苏日托光伏科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0747;H01L31/20 |
代理公司: | 南京乐羽知行专利代理事务所(普通合伙) 32326 | 代理人: | 孙承尧 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开一种MWT异质结硅太阳电池,MWT异质结硅太阳电池片上打有贯穿TCO透明导电膜,P型非晶硅膜层,本征非晶硅钝化层或者氧化硅钝化层,N型硅基片,本征非晶硅钝化层或者氧化硅钝化层,N型非晶硅膜层,以及TCO透明导电膜的孔洞,孔洞两端分别对应正面金属电极和孔洞金属电极,正面金属电极和孔洞金属电极连通;制备方法在常规异质结电池工艺基础上,增加一道激光打孔和绝缘层覆盖保护两道工序即可实现这种MWT异质结硅太阳电池的生产制造。 | ||
搜索关键词: | 孔洞 异质结 硅太阳电池 氧化硅钝化层 正面金属电极 本征非晶硅 透明导电膜 金属电极 钝化层 硅太阳电池片 本实用新型 绝缘层覆盖 异质结电池 工艺基础 激光打孔 制备 连通 贯穿 制造 生产 | ||
【主权项】:
1.一种MWT异质结硅太阳电池,其特征在于:包括N型硅基片,N型硅基片正反两面均设有一层本征非晶硅钝化层或者氧化硅钝化层;所述N型硅基片正面的本征非晶硅钝化层或者氧化硅钝化层上设有P型非晶硅膜层,P型非晶硅膜层上设有TCO透明导电膜;所述N型硅基片反面的本征非晶硅钝化层或者氧化硅钝化层上设有N型非晶硅膜层,N型非晶硅膜层上设有TCO透明导电膜;所述MWT异质结硅太阳电池片正面设有正面金属电极,背面设有背面金属电极;MWT异质结硅太阳电池片上打有贯穿TCO透明导电膜,P型非晶硅膜层,本征非晶硅钝化层或者氧化硅钝化层,N型硅基片,本征非晶硅钝化层或者氧化硅钝化层,N型非晶硅膜层,以及TCO透明导电膜的孔洞,孔洞两端分别对应正面金属电极和孔洞金属电极,正面金属电极和孔洞金属电极连通;从MWT异质结硅太阳电池片背面的孔洞边缘到孔洞内壁上印刷有绝缘浆料形成的平滑的绝缘膜层,所述孔洞边缘印刷的绝缘膜层外径大于孔洞金属电极点的外径,用于防止孔洞与背面的TCO透明导电膜形成连续通道。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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