[实用新型]一种GaAs/AIAs/AIAs布拉格反射镜激光器有效
| 申请号： | 201822163974.8 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN209561861U | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 李全杰;刘向英 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/125 | 分类号： | H01S5/125;H01S5/34 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 赵双 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种GaAs/AIAs/AIAs布拉格反射镜激光器，其结构自下而上依次包括：衬底层；第一分布式布拉格反射镜层；n型Ge半导体层；n型Ge掺杂层；量子阱发光层；电子阻挡层；p型Ge掺杂层；p型Ge半导体层；第二分布式布拉格反射镜层；本实用新型的激光器采用GaAs/AIAs超晶格材料作为高折射率材料层、采用AIAs材料作为低折射率材料层，形成的分布式布拉格反射镜，代替传统的FB谐振腔，使得加工简单、激光的单色性更好，而且可以降低工艺难度，也不容易脱落；且通过在量子阱发光层依次层叠第一电子阻挡层和第二电子阻挡层能够有效阻止多于的电子从量子阱发光层跃迁至p型Ge半导体层，改善激光器的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 激光器 分布式布拉格反射镜 电子阻挡层 半导体层 发光层 量子阱 布拉格反射镜 本实用新型 低折射率材料层 高折射率材料层 超晶格材料 发光效率 工艺难度 依次层叠 衬底层 传统的 单色性 谐振腔 跃迁 激光 加工 | ||
【主权项】：
1.一种GaAs/AIAs/AIAs布拉格反射镜激光器，其特征在于，包括：衬底层；第一分布式布拉格反射镜层，设置于所述衬底层上，所述第一分布式布拉格反射镜层包括交替生长的高折射率材料层和低折射率材料层，所述高折射率材料层为GaAs/AIAs超晶格材料；所述低折射率材料层为AIAs材料；n型Ge半导体层，设置于所述第一分布式布拉格反射镜层上；n型Ge掺杂层，设置于所述n型Ge半导体层上；量子阱发光层，设置于所述n型Ge掺杂层上；电子阻挡层，设置于所述量子阱发光层上；所述电子阻挡层包括依次层叠于量子阱发光层上的第一电子阻挡层和第二电子阻挡层；p型Ge掺杂层，设置于所述量子阱发光层上；p型Ge半导体层，设置于所述p型Ge掺杂层上；第二分布式布拉格反射镜层，设置于所述p型Ge半导体层上，所述第二分布式布拉格反射镜层包括交替生长的高折射率材料层和低折射率材料层，所述高折射率材料层为GaAs/AIAs超晶格材料；所述低折射率材料层为AIAs材料。
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