[实用新型]一种改善等离子体启辉及稳定性的装置有效
| 申请号： | 201822167355.6 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN209982804U | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 李雪冬;刘小波;胡冬冬;车东晨;李娜;徐康宁;陈璐;许开东 | 申请（专利权）人： | 江苏鲁汶仪器有限公司 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46;H01L21/67 |
| 代理公司： | 32274 南京申云知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 邱兴天 |
| 地址： | 221300 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开一种改善等离子体启辉及稳定性的装置，包括激励射频电源、电感耦合线圈、反应腔室、介质窗、静电卡盘和偏压射频电源，电感耦合线圈的一端口与激励射频电源连接，另一端口串联有可调电容，电感耦合线圈外圈端口到反应腔室接地端的距离小于电感耦合线圈内圈端口到反应腔室接地端的距离，且电感耦合线圈外圈端口的电压高于电感耦合线圈内圈端口的电压，本实用新型通使电感耦合线圈外圈端口的电压始终高于电感耦合线圈内圈端口的电压，这种电感耦合线圈外圈和内圈间的电压差不仅有利于等离子体启辉，扩大工艺窗口；有利于维持工艺过程中等离子体的稳定性，提高工艺重复性，由于高电压的区域位于电感耦合线圈的外圈，对晶圆表面以及刻蚀或沉积速度的影响最小。 | ||
| 搜索关键词： | 电感耦合线圈 内圈 反应腔室 等离子体启辉 激励射频电源 本实用新型 接地 工艺重复性 中等离子体 工艺窗口 工艺过程 晶圆表面 静电卡盘 可调电容 偏压射频 电压差 高电压 介质窗 沉积 刻蚀 串联 电源 | ||
【主权项】：
1.一种改善等离子体启辉及稳定性的装置，其特征在于：包括激励射频电源、电感耦合线圈、反应腔室、介质窗、静电卡盘和偏压射频电源，所述电感耦合线圈设置在介质窗上方，所述介质窗设置在反应腔室上方，所述静电卡盘设置在反应腔室并与偏压射频电源相连后接地，所述电感耦合线圈的一端口与激励射频电源连接，另一端口串联有可调电容，所述电感耦合线圈外圈端口到反应腔室接地端的距离小于电感耦合线圈内圈端口到反应腔室接地端的距离，且电感耦合线圈外圈端口的电压高于电感耦合线圈内圈端口的电压。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏鲁汶仪器有限公司，未经江苏鲁汶仪器有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201822167355.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
