[实用新型]一种高效率耗尽型场效应晶体管的封装装置有效
申请号: | 201822167816.X | 申请日: | 2018-12-21 |
公开(公告)号: | CN209183507U | 公开(公告)日: | 2019-07-30 |
发明(设计)人: | 梅华斌;程继明;陈浩 | 申请(专利权)人: | 无锡职业技术学院 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H05F3/00 |
代理公司: | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人: | 冯智文 |
地址: | 214121 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及封装技术领域,尤其为一种高效率耗尽型场效应晶体管的封装装置,包括工作架,所述工作架底端固定连接有工作台,所述工作台左侧固定连接有第一触头,所述工作台左端固定连接有安装板,所述安装板顶端固定连接有第一电机,所述第一电机顶端固定连接有安装块,所述安装块内侧固定连接有铜线,所述安装板顶端固定连接有干电池,所述干电池顶端固定连接有第二触头,所述工作台顶端固定连接有固定架,所述固定架通过转轴转动连接有滚筒,本实用新型中,通过设置的电机和干电池,去除静电效果良好,避免了静电对电子元件的伤害,这种设计构思新颖,设计科学,具有巨大的经济效益和广泛的市场前景,值得推广使用。 | ||
搜索关键词: | 干电池 工作台 耗尽型场效应晶体管 安装板顶端 本实用新型 封装装置 安装块 高效率 工作架 固定架 触头 电机 工作台顶端 电机顶端 静电效果 转轴转动 静电 铜线 安装板 滚筒 底端 左端 去除 封装 伤害 | ||
【主权项】:
1.一种高效率耗尽型场效应晶体管的封装装置,包括工作架(1),其特征在于:所述工作架(1)底端固定连接有工作台(2),所述工作台(2)左侧固定连接有第一触头(4),所述工作台(2)左端固定连接有安装板(3),所述安装板(3)顶端固定连接有第一电机(5),所述第一电机(5)顶端固定连接有安装块(6),所述安装块(6)内侧固定连接有铜线(7),所述安装板(3)顶端固定连接有干电池(8),所述干电池(8)顶端固定连接有第二触头(9),所述工作台(2)顶端固定连接有固定架(11),所述固定架(11)通过转轴转动连接有滚筒(12),所述工作台(2)顶端面固定连接有封装台(10),所述工作架(1)内侧滑动连接有滑杆(15),所述滑杆(15)顶底两端均固定连接有挡块(16),顶端所述挡块(16)底端固定连接有弹簧(17),所述弹簧(17)底端与工作架(1)固定连接,所述工作架(1)前端面固定连接有第二电机(13),所述第二电机(13)主轴末端固定连接有偏心轮(14)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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