[实用新型]精准测量温度的层结构元件和半导体器件加工设备有效
| 申请号： | 201822172797.X | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN209418465U | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 陈海祥 | 申请（专利权）人： | 东泰高科装备科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544;G01K7/02 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;李相雨 |
| 地址： | 102209 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型的实施例公开了一种精准测量温度的层结构元件和半导体器件加工设备，包括元件基体、薄膜热电偶层和温度测量点，通过薄膜热电偶层的测温单元对元件基体的测温区域进行温度测量。薄膜热电偶层作为层结构紧贴元件基体，相比于红外测量的非接触测量方法，通过薄膜热电偶层这种接触测量方法精度更高，能够反映元件基体真实的温度。通过设置在薄膜热电偶层上的温度测量点方便外接测量设备对测温区域进行温度测量。此外，薄膜热电偶层本身只有几个微米、体积小、质量小，因此薄膜热电偶层本身也不会对温度测量产生干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜热电偶 元件基体 温度测量 层结构 半导体器件加工 温度测量点 测温 测量 本实用新型 非接触测量 测量设备 测温单元 红外测量 接触测量 体积小 外接 紧贴 | ||
【主权项】：
1.一种精准测量温度的层结构元件，其特征在于，包括元件基体、薄膜热电偶层和温度测量点；所述薄膜热电偶层设置在所述元件基体上，所述薄膜热电偶层包括至少一个测温单元，在每一测温单元上均设置有所述温度测量点，通过测温单元上的温度测量点对所述元件基体上的测温区域进行温度测量；其中，对所述元件基体上的任一目标测温区域，由对所述目标测温区域进行温度采集的目标测温单元对所述目标测温区域进行温度测量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
