[实用新型]正入射共面电极阵列光电芯片及其封装结构

摘要

本实用新型涉及光通信传输技术领域，具体涉及一种正入射共面电极阵列光电芯片及其封装结构；一种正入射共面电极阵列光电芯片，包括衬底、缓冲层、吸收层和顶层；芯片上还包括多个分光单元，每个分光单元包括分光槽、吸光区和第一电极；分光槽向芯片正面的方向开口并贯穿芯片的吸收层；芯片的正面上还设有至少一个第二电极；每束入射光射向对应的分光单元，每束入射光的一部分从对应的分光单元的分光槽射出，每束入射光的另一部分从对应的分光单元的吸光区进入到吸收层内进行光电转换；故本实用新型提供的正入射共面电极阵列光电芯片能够对多束入射光的每束入射光分别进行分光和光功率监控。

主权项

1.一种正入射共面电极阵列光电芯片，其特征在于：包括衬底、缓冲层、吸收层和顶层，所述缓冲层位于所述吸收层和所述衬底之间；所述顶层位于所述吸收层与所述缓冲层相背的一表面，所述顶层相对所述衬底更靠近所述芯片的正面；所述芯片上还包括多个分光单元，每个所述分光单元包括分光槽、吸光区和第一电极；所述分光槽向所述芯片正面的方向开口并贯穿所述芯片的吸收层；所述吸光区和所述第一电极均设于所述芯片的正面，并所述第一电极位于所述吸光区的外侧；所述芯片的正面上还设有至少一个第二电极，所述第二电极与所述缓冲层相连接；以所述芯片的正面为入光侧，每束入射光射向对应的所述分光单元，每束入射光的一部分从对应的所述分光单元的分光槽射出，每束入射光的另一部分从对应的所述分光单元的吸光区进入到所述吸收层内进行光电转换。