[实用新型]一种改善锗单晶片总厚度变化的装置有效
| 申请号： | 201822185751.1 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN209207245U | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 唐安泰;李建平 | 申请（专利权）人： | 昆明汇泉高纯半导材料有限公司 |
| 主分类号： | B24B41/06 | 分类号： | B24B41/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650300 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，包括固定盘，所述固定盘顶部开设有吸附孔，所述吸附孔远离固定盘表面的一端连通有压力槽，所述压力槽开设在固定盘内部，所述固定盘顶部边缘固定连接有固定圈，所述压力槽内壁一侧开设有活塞槽，所述活塞槽内壁远离压力槽的一端开设有螺纹孔，所述螺纹孔贯穿固定盘，所述活塞槽内壁滑动连接有活塞，所述活塞靠近螺纹孔的一侧转动连接有活塞杆，所述活塞杆通过螺纹孔贯穿固定盘并延伸至固定盘外部，本实用新型涉及锗单晶技术领域。该一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，能够使底盘和无蜡垫之间连接更紧密，并且避免无蜡垫位移，改善单晶片总厚度变化，操作简单，工作效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 固定盘 总厚度变化 螺纹孔 锗单晶片 活塞槽 压力槽 本实用新型 活塞 活塞杆 吸附孔 蜡垫 内壁 工作效率高 顶部边缘 内壁滑动 转动连接 单晶片 固定圈 有压力 锗单晶 底盘 贯穿 连通 外部 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，包括固定盘（1），其特征在于：所述固定盘（1）顶部开设有吸附孔（2），所述吸附孔（2）远离固定盘（1）表面的一端连通有压力槽（3），所述压力槽（3）开设在固定盘（1）内部，所述固定盘（1）顶部边缘固定连接有固定圈（4），所述压力槽（3）内壁一侧开设有活塞槽（5），所述活塞槽（5）内壁远离压力槽（3）的一端开设有螺纹孔（6），所述螺纹孔（6）贯穿固定盘（1），所述活塞槽（5）内壁滑动连接有活塞（7），所述活塞（7）靠近螺纹孔（6）的一侧转动连接有活塞杆（8），所述活塞杆（8）通过螺纹孔（6）贯穿固定盘（1）并延伸至固定盘（1）外部，所述活塞杆（8）位于固定盘（1）外部的一端固定连接有转动盘（9）。
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