[实用新型]一种异质结硅磁敏三极管有效
| 申请号： | 201822197195.X | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN209232820U | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 赵晓锋;漆园园;刘红梅;温殿忠 | 申请（专利权）人： | 黑龙江大学 |
| 主分类号： | H01L43/00 | 分类号： | H01L43/00;H01L43/02;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京康思博达知识产权代理事务所(普通合伙) 11426 | 代理人： | 刘冬梅;路永斌 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种异质结硅磁敏三极管，所述传感器包括作为器件层的第一硅片(1)和作为衬底的第二硅片(2)，其中，在所述第一硅片(1)上设置有用于检测磁场的硅磁敏三极管。本实用新型所述异质结硅磁敏三极管结构简单，实现了芯片的小型化和集成化。 | ||
| 搜索关键词： | 磁敏三极管 异质结 硅片 本实用新型 检测磁场 集成化 器件层 传感器 衬底 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种异质结硅磁敏三极管，其特征在于，所述异质结硅磁敏三极管包括作为器件层的第一硅片(1)和作为衬底的第二硅片(2)，其中，在所述第一硅片(1)上设置有用于检测磁场的硅磁敏三极管；在所述第一硅片(1)的上表面制作有发射区(4)和基区(5)，在所述第一硅片(1)的下表面、第一硅片(1)与第二硅片(2)的交界面处设置有集电区(6)；在所述发射区(4)的表面沉积有原位掺杂nc‑Si:H薄膜，形成nc‑Si:H/c‑Si的异质结作为发射结；所述nc‑Si:H薄膜的厚度为30～150nm。
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