[实用新型]一种低功耗低噪声放大器有效
申请号: | 201822210273.5 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN209233794U | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 徐小杰;吴洁 | 申请(专利权)人: | 南京天矽微电子科技有限公司 |
主分类号: | H03F1/02 | 分类号: | H03F1/02;H03F1/26;H03F3/193 |
代理公司: | 南京泰普专利代理事务所(普通合伙) 32360 | 代理人: | 窦贤宇 |
地址: | 210000 江苏省南京市江宁*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种低功耗低噪声放大器,包括输入匹配电路模块、输出匹配电路模块、放大电路模块和负反馈模块;其中,输入匹配电路的输出端分别与放大电路的输入端和负反馈电路的一端连接,起到传输信号的功能;放大电路的输出端分别与输出匹配电路的输入端和负反馈电路的另一端连接,起到接收信号,并放大再输出的功能;在信号传输进入逐级放大以后,通过负反馈电路的调节,起到降低整个电路对晶体管自身性能变化的敏感度,获得较低的噪声系数,增大放大器的稳定性和带宽,降低了功耗,从而完成低功耗低噪声放大信号的作用。本实用新型通过负反馈电路增加带宽,多级放大电路可以在放大的同时降低功耗,成本较低,稳定性很高。 | ||
搜索关键词: | 负反馈电路 低功耗 低噪声放大器 输出匹配电路 输入匹配电路 本实用新型 放大电路 一端连接 输出端 输入端 带宽 放大 放大器 多级放大电路 放大电路模块 低噪声放大 负反馈模块 传输信号 降低功耗 信号传输 噪声系数 逐级放大 自身性能 敏感度 晶体管 功耗 电路 输出 | ||
【主权项】:
1.一种低功耗低噪声放大器,其特征在于,包括输入匹配电路模块、输出匹配电路模块、放大电路模块和负反馈模块;输入匹配电路模块,包括电容C1、电阻R1,所述电容C1的一端接输入信号,所述电容C1的另一端接所述电阻R1的一端;放大电路模块,包括场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2、场效应晶体管Q3、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10、电容C11、电容C12,所述场效应晶体管Q1的栅极与所述电阻R1的另一端连接,所述场效应晶体管Q1的漏极分别与所述电阻R2的一端、所述电容C3的一端和所述电阻R3的一端连接,所述场效应晶体管Q1的源极与所述电容C2的一端连接,所述电容C2的另一端接地,所述电阻R3的另一端和所述电容C3的另一端同时与所述电容C4的一端和所述电容C5的一端连接,所述电容C4的另一端接地,所述场效应晶体管Q2的栅极与所述电容C5的另一端连接,所述场效应晶体管Q2的漏极分别与所述电阻R4的一端、所述电容C7的一端和所述电阻R5的一端连接,所述场效应晶体管Q2的源极与所述电容C6的一端连接,所述电容C6的另一端接地,所述电容C7的另一端和所述电阻R5的另一端同时与所述电容C8的一端和所述电容C9的一端连接,所述电容C8的另一端接地,所述场效应晶体管Q3的栅极与所述电容C9的另一端连接,所述场效应晶体管Q3的漏极分别与所述电阻R6的一端、所述电容C11的一端和所述电阻R7的一端连接,所述场效应晶体管Q3的源极与所述电容C10的一端连接,所述电容C10的另一端接地,所述电阻R7的另一端和所述电容C11的另一端同时与所述电容C12的一端连接,所述电容C12的另一端接地;输出匹配电路模块,包括电容C13、电阻R8,所述电阻R8的一端与所述电阻R7的另一端、所述电容C11的另一端和所述电容C12的一端连接,所述电阻R8的另一端与所述电容C13的一端连接,所述电容C13的另一端接输出端口;负反馈电路模块,包括电感L1、电感L2、电感L3、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电容C14、电容C15、电容C16,所述电阻R9的一端分别与所述电阻R1的另一端和所述场效应晶体管Q1的栅极连接,所述电阻R9的另一端分别与所述电阻R10的一端和所述电容C14的一端连接,所述电阻R10的另一端接地,所述电容C14的另一端分别与所述电感L1的一端和所述电感L2的一端连接,所述电感L1的另一端接地,所述电感L2的另一端分别与所述电感L3的一端、所述电阻R11的一端和所述电阻R12的一端连接,所述电阻R12的另一端接地,所述电阻R11的另一端分别与所述电阻R7的另一端、所述电容C11的另一端、所述电容C12的一端和所述电阻R8的一端连接,所述电感L3的另一端分别与所述电容C15的一端、所述电容C16的一端和电压Vdd连接,所述电容C15的另一端接地,所述电容C16的另一端接地。
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