[实用新型]一种设有散热缝隙的植锡钢网有效
| 申请号： | 201822211183.8 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN209216924U | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 张志衡 | 申请（专利权）人： | 深圳市潜力创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 深圳市中联专利代理有限公司 44274 | 代理人： | 李俊 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种设有散热缝隙的植锡钢网，包括网板，设于网板上用于放置IC的IC植锡区，设于IC植锡区四周的散热区域，所述散热区域由多个散热单元组成，每个散热单元至少包括一个环形散热缝隙，所述环形散热缝隙的两侧缝隙内各设有一个桥接部。植锡过程中，锡膏从IC植锡区刮过后，锡膏均匀的填充在植锡孔中，多余的锡膏需要刮到IC植锡区之外，环形散热缝隙的间隙很小，锡膏经过散热间隙时，不会渗漏，从而便于收集多余的锡膏，避免浪费。 | ||
| 搜索关键词： | 散热缝隙 锡膏 植锡区 散热单元 散热区域 网板 锡钢 本实用新型 散热间隙 桥接部 植锡孔 填充 渗漏 | ||
【主权项】：
1.一种设有散热缝隙的植锡钢网，包括网板，设于网板上用于放置IC的IC植锡区，设于IC植锡区四周的散热区域，其特征在于，所述散热区域由多个散热单元组成，每个散热单元至少包括一个环形散热缝隙，所述环形散热缝隙的两侧缝隙内各设有一个桥接部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
