[实用新型]一种具有反向通流功能的器件

摘要

本实用新型提出了一种具有反向通流功能的器件，所述器件通过GCT芯片模块n⁺缓冲层与p⁺发射极掺杂以及在门极下方制作高浓度p⁺掺杂，改善GCT芯片的特性；并通过设置连接在GCT芯片模块上的IGCT驱动电路或ETO驱动电路，使所述GCT芯片的阴极和门极之间形成反向通流，实现IGCT或ETO器件的反向通流功能，并且保证了所述器件在正向导通时仍具有传统IGCT或ETO器件的性能；同时，所述器件在不改变原有GCT结构以及不影响IGCT或ETO器件正常功能的情况下，实现IGCT或ETO器件的反向通流，工艺步骤简单，提高了工业生产的成品率。

主权项

1.一种具有反向通流功能的器件，所述器件包括：GCT芯片模块和驱动电路模块，其中，所述GCT芯片模块包括：p⁺发射极、n⁺缓冲层、n基区、p基区、n⁺发射极构成的五层晶闸管结构，与所述p⁺发射极连接的阳极，与所述p基区连接的门极以及与所述n⁺发射极连接的阴极；所述p⁺发射极和所述n⁺缓冲层掺杂；所述p基区的门极下方有高浓度p⁺掺杂；所述驱动电路模块通过电缆与所述GCT芯片模块中的阴极和门极相连。