[实用新型]具有隔离阴极结构的集成门极换流晶闸管有效
申请号: | 201822228139.8 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN209461467U | 公开(公告)日: | 2019-10-01 |
发明(设计)人: | 曾嵘;刘佳鹏;周文鹏;赵彪;余占清;陈政宇 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L29/08 | 分类号: | H01L29/08;H01L29/74;H01L21/332 |
代理公司: | 北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11594 | 代理人: | 张陆军;张迎新 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种具有隔离阴极结构的集成门极换流晶闸管,依次包括p基区、n基区、n+缓冲层、p+发射极,还包括设于p+发射极的阳极、设于p基区上的门极、设于p基区上的n+发射极梳条和设于n+发射极梳条上的阴极,该集成门极换流晶闸管在芯片层面具有区域隔离的阴极结构,进一步具有与之配套的封装和门极驱动电路,抑制安全工作区域边界附近不同阴极区域间的电流汇聚效应,拓展器件的安全工作区域。本实用新型还提供一种集成门极换流晶闸管的制备方法。 | ||
搜索关键词: | 集成门极换流晶闸管 发射极 阴极结构 基区 安全工作区域 本实用新型 梳条 门极驱动电路 隔离 阴极 区域隔离 芯片层面 阴极区域 阳极 缓冲层 配套的 门极 封装 制备 汇聚 拓展 | ||
【主权项】:
1.一种具有隔离阴极结构的集成门极换流晶闸管,所述集成门极换流晶闸管依次包括p基区、n基区、n+缓冲层、p+发射极,还包括设于p+发射极的阳极、设于p基区上的门极、设于p基区上的n+发射极梳条和设于n+发射极梳条上的阴极,其特征在于,该集成门极换流晶闸管p基区由在其水平方向上分隔为两个或两个以上的p基区子区域组成,各p基区子区域均具有独立的阴极和门极,各区域间门极与阴极相互隔离。
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