[实用新型]一种基于磁场检测的双通道电流传感器结构有效

专利信息
申请号: 201822230095.2 申请日: 2018-12-28
公开(公告)号: CN209656765U 公开(公告)日: 2019-11-19
发明(设计)人: 黄海滨;殷晓宇;杨超 申请(专利权)人: 无锡思泰迪半导体有限公司
主分类号: G01R15/20 分类号: G01R15/20;G01R19/00
代理公司: 32227 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 代理人: 张宁;杨辰<国际申请>=<国际公布>=<
地址: 214028 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型涉及电流传感器技术领域,具体为一种基于磁场检测的双通道电流传感器结构,其能够有效地抑制相邻通道的磁干扰,提高检测精度;其包括带U形凹槽的导体,其特征在于,导体包括两个且对称布置,一个导体内侧的U形凹槽开口内垂直映射到上层位置处设置有一个第一内侧霍尔器件、外侧垂直映射到上层位置处设置有第一外侧霍尔器件,另一个导体内侧的U形凹槽开口内垂直映射到上层位置处设置有一个第二内侧霍尔器件、外侧垂直映射到上层位置处设置有第二外侧霍尔器件,第一内侧霍尔器件到第二内侧霍尔器件、第二外侧霍尔器件的直线距离相等,第二内侧霍尔器件到第一内侧霍尔器件、第一外侧霍尔器件的直线距离相等。
搜索关键词: 霍尔器件 导体 上层位置 映射 垂直 直线距离 相等 开口 电流传感器结构 本实用新型 电流传感器 磁场检测 对称布置 相邻通道 磁干扰 双通道 有效地 检测
【主权项】:
1.一种基于磁场检测的双通道电流传感器结构,其包括带U形凹槽的导体,其特征在于,所述导体包括两个且对称布置,一个所述导体内侧的U形凹槽开口内垂直映射到上层位置处设置有一个第一内侧霍尔器件、外侧垂直映射到上层位置处设置有第一外侧霍尔器件,另一个所述导体内侧的U形凹槽开口内垂直映射到上层位置处设置有一个第二内侧霍尔器件、外侧垂直映射到上层位置处设置有第二外侧霍尔器件,所述第一内侧霍尔器件到所述第二内侧霍尔器件、第二外侧霍尔器件的直线距离相等,所述第二内侧霍尔器件到所述第一内侧霍尔器件、第一外侧霍尔器件的直线距离相等。/n
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