[实用新型]一种触发电压连续可调的SCR ESD放电结构

摘要

本实用新型公开了一种触发电压连续可调的SCR ESD放电结构，其包括有基体，基体内设有P阱和N阱，N阱位于P阱的里面，P阱内形成有第一P型重掺杂区、第二P型重掺杂区和第一N型重掺杂区，N阱内形成有第二N型重掺杂区和第三P型重掺杂区，第一P型重掺杂区、第二N型重掺杂区和第三P型重掺杂区相互连接后作为阳极，第二P型重掺杂区和第一N型重掺杂区相互连接后作为阴极，进而在基体内形成寄生PNP管Q1、寄生NPN管Q2、寄生电阻Rn、寄生电阻Rp1和寄生电阻Rp2。其中，当阳极上有正的ESD脉冲的时候，通过寄生电阻Rp1和寄生电阻Rp2分压使得PN结正向导通，进而触发SCR泄放ESD电流；当阳极上有负的ESD脉冲的时候，通过P阱‑N阱PN结的正向导通泄放ESD电流。

主权项

1.一种触发电压连续可调的SCR ESD放电结构，其特征在于，包括有基体(1)，所述基体(1)内设有P阱(2)和N阱(3)，所述N阱(3)位于所述P阱(2)的里面，所述P阱(2)内形成有第一P型重掺杂区(4)、第二P型重掺杂区(5)和第一N型重掺杂区(6)，所述N阱(3)内形成有第二N型重掺杂区(7)和第三P型重掺杂区(8)，所述第一P型重掺杂区(4)和第二P型重掺杂区(5)分设于所述N阱(3)的两侧，所述第一N型重掺杂区(6)位于所述N阱(3)与所述第二P型重掺杂区(5)之间，所述第一P型重掺杂区(4)、第二N型重掺杂区(7)和第三P型重掺杂区(8)相互连接后作为阳极，所述第二P型重掺杂区(5)和第一N型重掺杂区(6)相互连接后作为阴极，进而在所述基体(1)内形成寄生PNP管Q1、寄生NPN管Q2、寄生电阻Rn、寄生电阻Rp1和寄生电阻Rp2，所述第二N型重掺杂区(7)作为所述寄生电阻Rn的第一端，所述寄生PNP管Q1的基极和寄生NPN管Q2的集电极均连接于所述寄生电阻Rn的第二端，所述第三P型重掺杂区(8)作为所述寄生PNP管Q1的发射极，所述第一N型重掺杂区(6)作为所述寄生NPN管Q2的发射极，所述第一P型重掺杂区(4)和第二P型重掺杂区(5)分别作为依次串联的寄生电阻Rp1和寄生电阻Rp2的两端，所述寄生PNP管Q1的集电极和寄生NPN管Q2的基极均连接于所述寄生电阻Rp1和寄生电阻Rp2的连接点。