[实用新型]离子注入设备有效
申请号: | 201822235084.3 | 申请日: | 2018-12-28 |
公开(公告)号: | CN209804588U | 公开(公告)日: | 2019-12-17 |
发明(设计)人: | 徐义;张时阁 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01J37/317 | 分类号: | H01J37/317;H01L31/18 |
代理公司: | 11477 北京尚伦律师事务所 | 代理人: | 谢丽莎 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种离子注入设备。所述离子注入设备应用于铜铟镓硒(CIGS)薄膜制备装置,所述制备装置包括工艺腔,所述工艺腔用于在基板上形成CIGS薄膜,所述离子注入设备包括:离子容置腔,位于所述工艺腔内,所述离子容置腔包括释放口,所述释放口位于所述形成有CIGS薄膜的基板的下方;离子发生构件,位于所述离子容置腔内,用于在所述离子容置腔内产生碱金属离子;离子加速构件,位于所述工艺腔内,用于对所述离子发生构件产生的所述碱金属离子进行加速,使得所述碱金属离子从所述释放口射出,射向所述CIGS薄膜。该技术方案可以精确控制所需的碱金属离子的分布梯度和浓度,得到完美分布的碱金属离子梯度,增强CIGS薄膜的性能,节省能耗。 | ||
搜索关键词: | 碱金属离子 工艺腔 容置腔 离子注入设备 离子 释放口 离子发生 基板 薄膜制备装置 本实用新型 分布梯度 离子加速 铜铟镓硒 制备装置 射出 能耗 应用 | ||
【主权项】:
1.一种离子注入设备,应用于铜铟镓硒CIGS薄膜制备装置,所述制备装置包括工艺腔,所述工艺腔用于在基板上形成CIGS薄膜以得到CIGS薄膜基板,其特征在于,所述离子注入设备包括:/n离子容置腔,位于所述工艺腔内,所述离子容置腔包括释放口,所述释放口位于所述CIGS薄膜基板的下方,朝向所述CIGS薄膜;/n离子发生构件,位于所述离子容置腔内,用于在所述离子容置腔内产生碱金属离子;/n离子加速构件,位于所述工艺腔内,用于对所述离子发生构件产生的所述碱金属离子进行加速,使得所述碱金属离子从所述释放口射出,射向所述CIGS薄膜。/n
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