[实用新型]一种MEMS结构有效
| 申请号： | 201822245337.5 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN210193393U | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 季锋;江为团;刘琛;闻永祥 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种MEMS结构。所述MEMS结构包括：位于半导体衬底中的空腔；位于所述半导体衬底的第一表面上且封闭所述空腔的敏感膜片；穿过所述敏感膜片到达所述空腔的开口；覆盖所述敏感膜片的表面、并且形成所述开口内壁上的衬层的停止层；位于所述敏感膜片上且封闭所述开口的层间介质层；以及从所述半导体衬底的第二表面到达所述空腔的通道。所述通道连通外部环境，从而可以形成单芯片结构的压力传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 结构 | ||
【主权项】：
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