[实用新型]独立开关式面光源VCSEL有效

专利信息
申请号: 201822252880.8 申请日: 2018-12-29
公开(公告)号: CN209088266U 公开(公告)日: 2019-07-09
发明(设计)人: 王俊;谭少阳;赵智德 申请(专利权)人: 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183;H01S5/187
代理公司: 苏州国诚专利代理有限公司 32293 代理人: 杨淑霞
地址: 215163 江苏省苏州市高*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型提供一种独立开关式面光源VCSEL,其包括:半导体衬底、外延层以及至少两个各自独立工作的发光区域;外延层位于半导体衬底的正面,发光区域位于外延层的正面,各发光区域具有各自独立的供电电极,任一发光区域包括:发光芯片以及供电电极,发光芯片包括自上而下依次层叠设置的:上DBR层、有源层以及下DBR层,供电电极包括:外延层电极以及背电极,外延层电极一端与上DBR层的顶面相连接,另一端延伸至外延层上,背电极位于半导体衬底层的背面。本实用新型中,各发光区域可协同工作,也可各自独立工作,充分满足了实际的使用需求。同时,还有利于节约能耗,延长面光源的使用寿命。
搜索关键词: 外延层 发光区域 供电电极 本实用新型 独立开关 发光芯片 背电极 面光源 衬底 半导体 半导体衬底层 电极一端 使用寿命 依次层叠 延长面 电极 源层 光源 背面 能耗 协同 节约 延伸
【主权项】:
1.一种独立开关式面光源VCSEL,其特征在于,所述独立开关式面光源VCSEL包括:半导体衬底、外延层以及至少两个各自独立工作的发光区域;所述外延层位于所述半导体衬底的正面,所述发光区域位于所述外延层的正面,各发光区域具有各自独立的供电电极,任一所述发光区域包括:发光芯片以及所述供电电极,所述发光芯片包括自上而下依次层叠设置的:上DBR层、有源层以及下DBR层,所述供电电极包括:外延层电极以及背电极,所述外延层电极一端与所述上DBR层的顶面相连接,另一端延伸至所述外延层上,所述背电极位于半导体衬底层的背面。
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