[实用新型]照明用LED电源的整流二极管有效
| 申请号： | 201822254278.8 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN209199946U | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 崔峰敏 | 申请（专利权）人： | 傲迪特半导体（南京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 江苏致邦律师事务所 32230 | 代理人： | 徐蓓;尹妍 |
| 地址： | 210034 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了照明用LED电源的整流二极管，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂的P型硅基层；所述N型硅衬底上有两个环形结构，外环为高掺杂的N型硅扩散层，内环为高掺杂的P型硅基环，所述高掺杂的P型硅基环位于高掺杂的P型硅基层和高掺杂的N型硅扩散层之间；低掺杂的N型硅衬底和高掺杂的P型硅基层形成PN结；所述N型硅衬底、高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和高掺杂的P型硅基环上设有碳纳米管CNT层；所述碳纳米管CNT层上设有SiN钝化膜层。本实用新型的照明用LED电源的整流二极管采用CNT和SiN复合层，单向传导能力强，反向保护效果好，结合一个P+保护环和N+保护环降低闩锁效应，整流性能稳定，适用于照明用LED电源的桥式整流结构。 | ||
| 搜索关键词： | 高掺杂 照明用 衬底 整流二极管 基环 本实用新型 碳纳米管 低掺杂 钝化膜层 环形结构 桥式整流 闩锁效应 复合层 能力强 传导 内环 | ||
【主权项】：
1.一种照明用LED电源的整流二极管，硅晶片尺寸为1.3mm×1.3mm，有源区尺寸0.85mm×0.85mm，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂的P型硅基层；其特征在于，所述N型硅衬底上有两个环形结构，外环为高掺杂的N型硅扩散层，内环为高掺杂的P型硅基环，所述高掺杂的P型硅基环位于高掺杂的P型硅基层和高掺杂的N型硅扩散层之间；低掺杂的N型硅衬底和高掺杂的P型硅基层形成PN结；所述N型硅衬底、高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和高掺杂的P型硅基环上设有碳纳米管CNT层；所述碳纳米管CNT层上设有SiN钝化膜层。
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