[实用新型]半导体功率器件有效
| 申请号： | 201822268288.7 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN209561381U | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 许新佳;周炳;陈雨雁;赵承杰;夏凯 | 申请（专利权）人： | 张家港意发功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 杨淑霞 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体功率器件，其包括：衬底层、掺杂P的硅外延层、钝化层以及铝条带；掺杂P的硅外延层形成于所述衬底层上，钝化层形成于掺杂P的硅外延层上，钝化层上开设有键合窗口，键合窗口延伸至掺杂P的硅外延层上，铝条带通过铅锡银键合于键合窗口处，且铝条带用于键合的端部融合于冷却定型的铅锡银中，且铝条带的键合的端部向上抬升铅锡银一半厚度的距离。本实用新型的半导体功率器件中，铝条带通过融合于铅锡银中的方式进行键合，其有利于增大键合区的面积，从而从而减少接触电阻，降低导通电阻。同时，铅锡银与铝条带结合后，再向上抬升一半高度有利于减少芯片承受的应力，减少芯片损伤的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 键合 铝条 铅锡银 硅外延层 半导体功率器件 掺杂 钝化层 本实用新型 衬底层 抬升 导通电阻 接触电阻 冷却定型 芯片损伤 窗口处 键合区 融合 芯片 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种半导体功率器件，其特征在于，所述半导体功率器件包括：衬底层、掺杂P的硅外延层、钝化层以及铝条带；所述掺杂P的硅外延层形成于所述衬底层上，所述钝化层形成于所述掺杂P的硅外延层上，所述钝化层上开设有键合窗口，所述键合窗口延伸至所述掺杂P的硅外延层上，所述铝条带通过铅锡银键合于所述键合窗口处，且所述铝条带用于键合的端部融合于冷却定型的铅锡银中，且所述铝条带的键合的端部向上抬升所述铅锡银一半厚度的距离。
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