[发明专利]高压碳化硅肖特基二极管倒装芯片阵列

摘要

一种碳化硅芯片阵列包括碳化硅衬底、在碳化硅衬底的顶部的碳化硅层、连接到碳化硅衬底的第一金属接触件、以及分别连接到第一部分和第二部分的两个第二金属接触件。碳化硅层比碳化硅衬底更薄，并具有更低的掺杂度。碳化硅层包括彼此分离的第一部分和第二部分。每个第二金属接触件与第一金属接触件都形成一个半导体器件。第一部分和第二部分中的至少一个包含一个相对于碳化硅衬底而倾斜的侧面。这种结构提高了击穿电压，并降低了所得碳化硅二极管阵列的漏电流。

主权项

1.一种碳化硅芯片阵列，包括：a)碳化硅衬底；b)碳化硅层，其在所述碳化硅衬底的顶部，所述碳化硅层比所述碳化硅衬底更薄，并具有更低的掺杂度；所述碳化硅层包括彼此分离的第一部分和第二部分；c)第一金属接触件，其连接到所述碳化硅衬底；d)两个第二金属接触件，其分别连接到所述第一部分和所述第二部分，每个所述第二金属接触件与所述第一金属接触件都形成一个半导体器件；其中所述第一部分和所述第二部分中的至少一个包含一个相对于所述碳化硅衬底而倾斜的侧面。