[发明专利]用于改进的化学蚀刻的方法和系统在审
| 申请号： | 201880000807.1 | 申请日： | 2018-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN109075111A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 孙文斌;蒋阳波;汪亚军;顾立勋;徐融;吴良辉 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 钟胜光 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了一种化学蚀刻装置以及使用的方法。用于化学蚀刻的装置包括被设计为容纳第一液体的容器。液体供应管沿所述容器的底部部分延伸。所述液体供应管具有沿着沿所述容器的所述底部部分的所述液体供应管的长度的第一多个开口。气体供应管沿所述容器的所述底部部分延伸。所述气体供应管具有沿着沿所述容器的所述底部部分的所述气体供应管的长度的第二多个开口。所述液体供应管经由所述第一多个开口将第二液体引入到所述第一液体中，并且所述气体供应管经由所述第二多个开口将气体引入到所述第一液体中。 | ||
| 搜索关键词： | 气体供应管 液体供应管 开口 化学蚀刻 化学蚀刻装置 引入 延伸 容纳 改进 | ||
【主权项】：
1.一种用于化学蚀刻的装置，包括：被配置为容纳第一液体的容器；沿所述容器的底部部分延伸的液体供应管，所述液体供应管具有沿着沿所述容器的所述底部部分的所述液体供应管的长度的第一多个开口；以及沿所述容器的所述底部部分延伸的气体供应管，所述气体供应管具有沿着沿所述容器的所述底部部分的所述气体供应管的长度的第二多个开口，其中，所述液体供应管被配置为经由所述第一多个开口将第二液体引入到所述第一液体中，并且所述气体供应管被配置为经由所述第二多个开口将气体引入到所述第一液体中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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