[发明专利]用于形成三维存储器件的双堆栈沟道孔结构的方法

摘要

公开了一种用于形成3D存储器件的沟道孔结构的方法。所述方法包括：在衬底上形成第一交替电介质堆叠层和第一绝缘层；在穿透第一绝缘层和第一交替电介质堆叠层的第一沟道孔中形成第一沟道结构；在第一绝缘层中形成牺牲堆栈间插塞；在牺牲堆栈间插塞上形成第二交替电介质堆叠层；形成穿透第二交替电介质堆叠层并且暴露牺牲堆栈间插塞的部分的第二沟道孔；去除牺牲堆栈间插塞以形成腔；以及在所述腔中形成堆栈间沟道插塞，并在所述第二沟道孔中形成第二沟道结构，所述堆栈间沟道插塞接触所述第一沟道结构和所述第二沟道结构。

主权项

1.一种用于形成三维3D存储器件中的沟道孔结构的方法，包括：在衬底上形成第一交替电介质堆叠层；在所述第一交替电介质堆叠层上形成第一绝缘层；形成穿透所述第一绝缘层和所述第一交替电介质堆叠层的第一沟道孔；在所述第一沟道孔中形成第一沟道结构；在所述第一绝缘层中形成牺牲堆栈间插塞，其中，所述牺牲堆栈间插塞在横向平面中的投影覆盖所述第一沟道孔在所述横向平面中的投影；形成设置在所述牺牲堆栈间插塞上的第二交替电介质堆叠层；形成穿透所述第二交替电介质堆叠层并且暴露所述牺牲堆栈间插塞的部分的第二沟道孔；去除所述牺牲堆栈间插塞，以形成腔；以及在所述腔中形成堆栈间沟道插塞，并在所述第二沟道孔中形成第二沟道结构，其中，所述堆栈间沟道插塞接触所述第一沟道结构和所述第二沟道结构。