[发明专利]存储器件及其形成方法

摘要

公开了三维存储器件的方法和结构。在示例中，存储器件包括设置在衬底上的第一交替导体/电介质堆叠层和设置在第一交替导体/电介质堆叠层之上的碳化硅层。第二交替导体/电介质堆叠层设置在碳化硅层上。存储器件包括相对于衬底的表面正交地延伸通过第一交替导体/电介质堆叠层并且处于设置在多个凹陷中的外延生长材料之上的一个或多个第一结构，以及相对于衬底的表面正交地延伸通过第二交替导体/电介质堆叠层的一个或多个第二结构。一个或多个第二结构在一个或多个第一结构中的对应结构之上大体上对准。

主权项

1.一种存储器件，包括：衬底，所述衬底在所述衬底的表面中具有多个凹陷；形成于所述多个凹陷中的外延生长材料；设置于所述衬底上的第一堆叠层，所述第一堆叠层包括交替的导体层和电介质层；设置于所述第一堆叠层之上的碳化硅层；设置于所述碳化硅层之上的第二堆叠层，所述第二堆叠层包括交替的导体层和电介质层；一个或多个第一结构，其相对于所述衬底的表面正交地延伸通过所述第一堆叠层并且处于设置在所述多个凹陷中的所述外延生长材料之上；以及一个或多个第二结构，其相对于所述衬底的表面正交地延伸通过所述第二堆叠层，所述一个或多个第二结构在所述一个或多个第一结构中的对应第一结构之上大体上对准；其中，所述碳化硅层包括在所述一个或多个第一结构之上大体上对准的一个或多个掺杂区域。