[发明专利]半导体掺杂物液体源、半导体掺杂物液体源的制造方法以及半导体装置的制造方法有效
申请号: | 201880000866.9 | 申请日: | 2018-02-02 |
公开(公告)号: | CN110366771B | 公开(公告)日: | 2023-01-03 |
发明(设计)人: | 斋藤智也 | 申请(专利权)人: | 新电元工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/228 | 分类号: | H01L21/228;H01L21/24 |
代理公司: | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人: | 郁旦蓉 |
地址: | 日本东京都千*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 混合含有:包含掺杂物的化合物;用于溶解化合物的有机溶剂;溶解于有机溶剂并将粘性付与半导体掺杂物液体源的增粘剂;以及直径比掺杂物更大的无机粉末,增粘剂所具有的特性为:在将半导体掺杂物液体源涂布在半导体基板的涂布面上时,通过粘性对沿涂布面的面方向上相邻的无机粉末之间的间隔进行调整,从而调整掺杂物在涂布面上的分布,并且在加热至第一温度后,使其沉积在相邻的无机粉末之间,从而维持掺杂物在涂布面上的分布,无机粉末所具有的特性为:调整半导体基板之间的间隔在面方向上的分布,并且在将掺杂物加热至第二温度后,在将接合的半导体基板置于剥离液中时,通过维持半导体基板之间的间隔,从而使剥离液浸透在半导体基板之间。 | ||
搜索关键词: | 半导体 掺杂 液体 制造 方法 以及 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体掺杂物液体源,通过在被涂布在叠层后的多个半导体基板之间的状态下进行加热,从而在所述多个半导体基板上使掺杂物扩散,其特征在于:混合含有:包含所述掺杂物的化合物;用于溶解所述化合物的有机溶剂;溶解于所述有机溶剂,并将粘性付与所述半导体掺杂物液体源的增粘剂;以及直径比所述掺杂物更大的无机粉末,其中,所述增粘剂所具有的特性为:在将所述半导体掺杂物液体源涂布在所述半导体基板的涂布面上时,通过对所述半导体掺杂物液体源所付与的所述粘性,对沿所述涂布面的面方向上相邻的所述无机粉末之间的间隔进行调整,从而调整所述掺杂物在所述涂布面上的分布,并且通过将所述半导体掺杂物液体源加热至使其干燥的第一温度,从而使其伴随着所述有机溶剂的蒸发沉积在所述相邻的无机粉末之间,从而维持所述掺杂物在所述涂布面上的分布,所述无机粉末所具有的特性为:在将所述多个半导体基板叠层时,通过所述增粘剂来调整所述面方向上相邻的无机粉末之间的间隔,从而来调整所述多个半导体基板之间的间隔在所述面方向上的分布,并且在将所述掺杂物加热至高于所述第一温度的,会生成所述掺杂物扩散供给源的第二温度后,在将通过以所述第二温度加热从而接合的所述多个半导体基板置于剥离液中时,通过维持所述多个半导体基板之间的间隔,使所述剥离液浸透在所述多个半导体基板之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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