[发明专利]形成用于三维存储器件双侧布线的阶梯结构的方法

摘要

公开了形成用于三维(3D)存储器件双侧布线的阶梯结构的方法的实施例。在一个示例中，在衬底上形成第一电介质层，并且在第一电介质层上形成第一光刻胶层。通过修整蚀刻第一电介质层的循环将凹槽穿过第一电介质层图案化到衬底。将电介质/牺牲层对形成在第一电介质层上并填充在凹槽中。在电介质/牺牲层对上形成第二光刻胶层。通过修整蚀刻电介质/牺牲层对的循环来图案化电介质/牺牲层对。将第二电介质层形成在第一电介质层上，并覆盖图案化的电介质/牺牲层对。通过用导体层替换图案化的电介质/牺牲层对和凹槽中的电介质/牺牲层对中的牺牲层来形成包括导体/电介质层对的存储堆叠层。

主权项

1.一种用于形成三维存储器件的方法，包括：在衬底上形成第一电介质层，并在所述第一电介质层上形成第一光刻胶层；通过修整所述第一光刻胶层和蚀刻所述第一电介质层的多个循环，将凹槽穿过所述第一电介质层图案化到所述衬底；将多个电介质/牺牲层对形成在所述第一电介质层的顶表面上，并填充在所述凹槽中；将第二光刻胶层形成在所述多个电介质/牺牲层对的顶表面上；通过修整所述第二光刻胶层和蚀刻所述多个电介质/牺牲层对的多个循环来图案化所述第一电介质层的顶表面上的所述多个电介质/牺牲层对；将第二电介质层形成在所述第一电介质层的顶表面上，并覆盖图案化的多个电介质/牺牲层对；以及通过用多个导体层替换所述第一电介质层的顶表面上所述图案化的电介质/牺牲层对中的牺牲层和所述凹槽中的电介质/牺牲层对中的牺牲层，来在所述衬底上形成包括多个导体/电介质层对的存储堆叠层。