[发明专利]用于三维存储器件双侧布线的阶梯结构

摘要

公开了用于三维(3D)存储器件双侧布线的阶梯结构的实施例。在示例中，3D存储器件包括衬底、设置在衬底之上并且包括交替堆叠的导体/电介质层对的存储堆叠层、以及存储器串的阵列，每个存储器串垂直延伸穿过存储堆叠层的内部区域。存储堆叠层的外部区域包括设置在衬底上的第一阶梯结构和设置在第一阶梯结构之上的第二阶梯结构。在第一阶梯结构中的沿着远离衬底的垂直方向的导体/电介质层对的第一边缘远离存储器串的阵列横向交错排列。第二阶梯结构中的沿着远离衬底的垂直方向的导体/电介质层对的第二边缘朝向存储器串的阵列横向交错排列。

主权项

1.一种三维存储器件，包括：/n衬底；/n存储堆叠层，其设置在所述衬底之上，并包括交替堆叠的多个导体/电介质层对；以及/n存储器串的阵列，每个存储器串垂直延伸穿过所述存储堆叠层的内部区域，/n其中，所述存储堆叠层的外部区域包括设置在所述衬底上的第一阶梯结构和设置在所述第一阶梯结构之上的第二阶梯结构；/n所述第一阶梯结构中的所述多个导体/电介质层对的第一边缘随着远离所述衬底移动而远离所述内部区域地倾斜；并且/n所述第二阶梯结构中的所述多个导体/电介质层对的第二边缘随着远离所述衬底移动而朝向所述内部区域地倾斜。/n