[发明专利]忆阻器电极材料的制备方法、制备装置和忆阻器电极材料有效
| 申请号： | 201880001001.4 | 申请日： | 2018-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN109155364B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 姚国峰;沈健 | 申请（专利权）人： | 深圳市为通博科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329 | 代理人： | 孙涛;毛威 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市南山区南头*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种忆阻器电极材料的制备方法、制备装置和忆阻器电极材料，该制备方法包括：采用等离子体辅助原子层沉积工艺在衬底上沉积金属氮化物，得到金属氮化物衬底；将所述金属氮化物衬底置于真空进行激光退火处理，得到用于制备阻变式存储器的忆阻器电极的忆阻器电极材料；其中，所述忆阻器电极材料中的金属氮化物的性能指标满足以下条件：电阻率低于100微欧厘米，碳元素的残留低于1原子百分比，含氧量低于10原子百分比，金属和氮的原子数量的比值与1的差值的绝对值小于0.1。 | ||
| 搜索关键词： | 忆阻器 电极 材料 制备 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种忆阻器电极材料的制备方法，其特征在于，包括：采用反应溅射工艺在衬底上沉积金属氮化物，得到金属氮化物衬底；将所述金属氮化物衬底置于含氮气氛中进行激光退火处理，以氮化所述金属氮化物衬底上未反应的金属，得到忆阻器电极材料。
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