[发明专利]钽溅射靶有效
申请号: | 201880001011.8 | 申请日: | 2018-01-24 |
公开(公告)号: | CN109154074B | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 永津光太郎 | 申请(专利权)人: | JX金属株式会社 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C22C27/02;H01L21/285 |
代理公司: | 北京尚伦律师事务所 11477 | 代理人: | 张俊国 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种有助于提高大功率溅射时的膜厚均匀性的钽溅射靶。该钽溅射靶,其纯度为99.99质量%以上,溅射面的维式硬度的平均值为85~110Hv,并且,满足以下的(1)~(2)两个条件:(1)对垂直于溅射面的断面进行EBSP测量时,局部角度方位差(KAM值)的平均值为0.2°~2.8°;(2)对垂直于溅射面的断面进行EBSP测量时,在与溅射面的法线方向相对的方位差为15°以内进行取向的{100}面的取向面积比的平均值为20%以上。 | ||
搜索关键词: | 溅射 | ||
【主权项】:
1.一种钽溅射靶,其纯度为99.99质量%以上,溅射面的维式硬度的平均值为85~110Hv,并且,满足以下的(1)~(2)两个条件:(1)对垂直于溅射面的断面进行EBSP测量时,局部角度方位差(KAM值)的平均值为0.2°~2.8°;(2)对垂直于溅射面的断面进行EBSP测量时,在与溅射面的法线方向相对的方位差为15°以内进行取向的{100}面的取向面积比的平均值为20%以上。
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