[发明专利]一种太阳能异质结电池及其制备方法在审
申请号: | 201880001476.3 | 申请日: | 2018-08-03 |
公开(公告)号: | CN109075218A | 公开(公告)日: | 2018-12-21 |
发明(设计)人: | 董刚强 | 申请(专利权)人: | 君泰创新(北京)科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 王伟锋;刘铁生 |
地址: | 100176 北京市大兴区亦*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种太阳能异质结电池,所述太阳能异质结电池从上至下依次包括第一电极、第一掺水ITO透明导电层、第一非晶硅掺杂层、第一本征非晶硅钝化层、单晶硅片、第二本征非晶硅钝化层、第二非晶硅掺杂层、第二掺水ITO透明导电层和第二电极。本申请还提供了上述太阳能异质结电池的制备方法。本申请的太阳能异质结电池具有优异的光电性能。本申请提供的太阳能异质结电池,有效解决了掺水ITO透明导电层与掺杂非晶硅和丝网印刷银栅极接触不良的问题,从而能够展现出优异的光电性能。 | ||
搜索关键词: | 异质结电池 太阳能 掺水 本征非晶硅 光电性能 掺杂层 钝化层 非晶硅 制备 申请 掺杂非晶硅 从上至下 单晶硅片 第二电极 第一电极 接触不良 丝网印刷 有效解决 银栅极 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能异质结电池,其特征在于:所述太阳能异质结电池包括上下依次设置的第一电极、第一掺水透明导电层、第一硅掺杂层、第一本征硅钝化层、硅片、第二本征硅钝化层、第二硅掺杂层、第二掺水透明导电层和第二电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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