[发明专利]使用背面补偿结构的晶圆平整度控制在审
| 申请号： | 201880001676.9 | 申请日： | 2018-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN109155235A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 戴晓望;吕震宇;陶谦;胡禺石;夏季;李兆松;何家兰 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3205;H01L27/11578;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 钟胜光 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了用于晶圆平整度控制的半导体结构以及用于使用和形成所述半导体结构的方法的实施例。在示例中，获得指示晶圆在第一方向和第二方向之间的平整度差异的模型。所述平整度差异与晶圆的正面上的多个半导体器件的多个制作阶段之一相关联。基于所述模型确定用于减小平整度差异的补偿图案。在所述多个制作阶段之一，基于补偿图案在晶圆的与正面相对的背面上形成补偿结构，以减小平整度差异。 | ||
| 搜索关键词： | 平整度 晶圆 半导体结构 补偿结构 补偿图案 减小 背面 半导体器件 模型确定 制作 关联 | ||
【主权项】：
1.一种用于控制晶圆平整度的方法，包括：获得指示晶圆在第一方向和第二方向之间的平整度差异的模型，所述平整度差异与所述晶圆的正面上的多个半导体器件的多个制作阶段中的一个制作阶段相关联；基于所述模型确定用于减小所述平整度差异的补偿图案；以及在所述多个制作阶段中的所述一个制作阶段，基于所述补偿图案在所述晶圆的与所述正面相对的背面上形成补偿结构，以减小所述平整度差异。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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