[发明专利]多堆叠层三维存储器件

摘要

公开了具有多个存储堆叠层的三维(3D)存储器件以及用于形成3D存储器件的方法的实施例。在示例中，3D存储器件包括第一器件芯片、第二器件芯片和键合界面。第一器件芯片包括外围器件和第一互连层。第二器件芯片包括衬底、设置在衬底的相对侧上的两个存储堆叠层、两个存储器串、以及第二互连层，其中每个存储器串垂直延伸穿过两个存储堆叠层中的一个。键合界面垂直地形成在第一器件芯片的第一互连层和第二器件芯片的第二互连层之间。

主权项

1.一种三维(3D)存储器件，包括：第一器件芯片，包括：外围器件；以及第一互连层；第二器件芯片，包括：衬底；设置在所述衬底的相对侧的两个存储堆叠层；两个存储器串，每个所述存储器串垂直延伸穿过所述两个存储堆叠层中的一个；以及第二互连层；以及键合界面，所述键合界面垂直形成在所述第一器件芯片的所述第一互连层和所述第二器件芯片的所述第二互连层之间。