[发明专利]SiC单晶体的品质评价方法及利用该方法的碳化硅单晶锭的制造方法有效
| 申请号： | 201880002188.X | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN109196146B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 中林正史;牛尾昌史 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00;G01N23/207 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张轶楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种能够通过非破坏且简便的方法对SiC单晶的品质进行评价的SiC单晶的品质评价方法及利用该品质评价方法能够再现性良好地制造位错少、品质高的SiC单晶锭的SiC单晶锭的制造方法。是根据与测定点的位置的关系通过多项式近似地表示利用X射线摇摆曲线测定获得的峰位移值并基于对该第1多项式进行微分而获得的第2多项式的曲线图对SiC单晶体的品质进行评价的SiC单晶体的品质评价方法，另外，是使用以上述的方式进行了评价的SiC单晶体作为籽晶并通过升华再结晶法来制造SiC单晶锭的SiC单晶锭的制造方法。 | ||
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【主权项】：
1.一种SiC单晶体的品质评价方法，是对由圆板状的碳化硅单晶形成的SiC单晶体的品质进行评价的方法，包括：在预定衍射面对所述SiC单晶体的主面进行X射线摇摆曲线测定，在将呈现衍射峰时的X射线的入射方向与所述主面所成的角度设为Ω时，求出在所述主面的直径上的多个测定点Pn处的该角度Ω，算出这些测定点Pn中的某基准测定点P0处的角度ΩO和除此之外的测定点Pn处的角度Ωn之差(Ωn‑ΩO)，作为各个峰位移值，求出所述主面的直径上的测定点Pn的位置(X)与所述峰位移值(Y)的关系作为第1多项式，对该第1多项式进行一阶微分求出第2多项式，基于这些多项式对所述SiC单晶体的品质进行评价。
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