[发明专利]非易失性存储装置、以及驱动方法

摘要

非易失性存储装置具备：电阻变化元件(10)，具有第一电极(2)、第二电极(4)、以及按照被施加在第一电极(2)与第二电极(4)之间的电压脉冲，电阻值发生变化的电阻变化层(3)；电压脉冲施加电路(300)，将电压脉冲施加到第一电极(2)与第二电极(4)之间；控制电路(110)，对电压脉冲施加电路(300)进行控制，控制电路(110)接受来自外部的指令，读出电阻变化元件(10)的电阻状态，在读出的电阻状态为高电阻状态的情况下，控制电压脉冲施加电路(300)，以使第一极性的第一追加电压脉冲被施加到第一电极(2)与第二电极(4)之间，在读出的电阻状态为低电阻状态的情况下，控制所述电压脉冲施加电路，以使与第一极性不同的第二极性的第二追加电压脉冲被施加到第一电极(2)与第二电极(4)之间。

主权项

1.一种非易失性存储装置，所述非易失性存储装置具备：电阻变化元件，具备第一电极、第二电极、以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的电阻变化层，在该电阻变化层中，按照被施加到所述第一电极与所述第二电极之间的电压脉冲，电阻值发生变化；电压脉冲施加电路，将电压脉冲施加到所述第一电极与所述第二电极之间；以及控制电路，对所述电压脉冲施加电路进行控制，所述电压脉冲施加电路执行高电阻化过程以及低电阻化过程，在所述高电阻化过程中，通过将第一极性的第一电压脉冲施加到所述第一电极与所述第二电极之间，从而使所述电阻变化层从低电阻状态向高电阻状态变化，所述低电阻状态示出第一逻辑信息，所述高电阻状态示出与所述第一逻辑信息不同的第二逻辑信息，且所述高电阻状态的电阻值比所述低电阻状态高，在所述低电阻化过程中，通过将与所述第一极性为不同极性的第二极性的第二电压脉冲施加到所述第一电极与所述第二电极之间，从而使所述电阻变化层从所述高电阻状态向所述低电阻状态变化，所述控制电路接受来自外部的指令，读出所述电阻变化元件的电阻状态，在读出的电阻状态为所述高电阻状态的情况下，对所述电压脉冲施加电路进行控制，以向所述第一电极与所述第二电极之间施加能量比所述第一电压脉冲大的、所述第一极性的第一追加电压脉冲，在读出的电阻状态为所述低电阻状态的情况下，对所述电压脉冲施加电路进行控制，以向所述第一电极与所述第二电极之间施加能量比所述第二电压脉冲大的、所述第二极性的第二追加电压脉冲。