[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201880002603.1 | 申请日： | 2018-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN109417093B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 阿形泰典;吉村尚;泷下博 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 金玉兰;王颖 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供具有缓冲区的半导体装置。半导体装置具备：第一导电型的半导体基板；第一导电型的漂移层，其设置于半导体基板；以及缓冲区，其设置于漂移层，具有多个第一导电型的掺杂浓度的峰，缓冲区具有：第一峰，其具有预先确定的掺杂浓度，且在多个峰中设置于最靠近半导体基板的背面侧的位置；以及高浓度峰，其具有比第一峰的掺杂浓度高的掺杂浓度，设置于比第一峰靠半导体基板的上表面侧的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的半导体基板；所述第一导电型的漂移层，其设置于所述半导体基板；以及缓冲区，其设置于所述漂移层，具有多个所述第一导电型的掺杂浓度的峰，所述缓冲区具有：第一峰，其具有预先确定的掺杂浓度，且在所述多个峰中设置于最靠近所述半导体基板的背面侧的位置；以及高浓度峰，其具有比所述第一峰的掺杂浓度高的掺杂浓度，设置于比所述第一峰靠近所述半导体基板的上表面侧的位置。
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