[发明专利]图像传感器模组及其形成方法在审
申请号: | 201880002617.3 | 申请日: | 2018-09-21 |
公开(公告)号: | CN111295759A | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 刘孟彬 | 申请(专利权)人: | 中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人: | 高静;李丽 |
地址: | 中国(上海)自由贸易试验*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种图像传感器模组及形成方法。在此形成方法中,在第一载体晶圆上贴附第一晶圆的第一表面;所述第一晶圆具有多个第一芯片;在第一晶圆的第二表面上形成永久键合层;其永久键合层包括至少图形化键合层或透明键合层;使第二芯片通过中间的永久键合层分别与第一晶圆的第一芯片键合。第一芯片是滤光片芯片和图像传感器芯片中的一种。第二芯片是滤光片芯片和图像传感器芯片中的另一种。图像传感器具有面向滤光片芯片的感光区。本发明实施例有利于使封装结构具有芯片的尺寸,且有利于避免图像传感器的感光区受到污染,提高封装结构的良率。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 模组 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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