[发明专利]用于接合界面处的接合对准标记的方法、器件和结构有效

专利信息
申请号: 201880002644.0 申请日: 2018-11-21
公开(公告)号: CN109643700B 公开(公告)日: 2019-09-10
发明(设计)人: 严孟;王家文;胡思平;胡顺 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544;H01L21/68
代理公司: 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 代理人: 钟胜光
地址: 430074 湖北省武汉市东湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 公开了接合半导体结构及其制作方法的实施例。在示例中,一种半导体器件包括第一半导体结构、第二半导体结构以及处于第一半导体结构和第二半导体结构之间的接合界面。所述第一半导体结构包括衬底、设置在所述衬底上的第一器件层以及设置在所述第一器件层上方并且包括第一接合触点和第一接合对准标记的第一接合层。所述第二半导体结构包括第二器件层以及设置在所述第二器件层下方并且包括第二接合触点和第二接合对准标记的第二接合层。使所述第一接合对准标记与所述第二接合对准标记在所述接合界面处对准,以使得所述第一接合触点与所述第二接合触点在接合界面处对准。
搜索关键词: 接合 半导体结构 对准标记 接合界面 器件层 触点 接合层 衬底 对准 半导体器件 制作
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:第一半导体结构,其包括衬底、设置在所述衬底上的第一器件层以及设置在所述第一器件层上方并且包括第一接合触点和第一接合对准标记的第一接合层;第二半导体结构,其包括第二器件层以及设置在所述第二器件层下方并且包括第二接合触点和第二接合对准标记的第二接合层;以及处于所述第一半导体结构和所述第二半导体结构之间的接合界面,其中,使所述第一接合对准标记与所述第二接合对准标记在所述接合界面处对准,以使得所述第一接合触点与所述第二接合触点在所述接合界面处对准。
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