[发明专利]蚀刻停止层及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201880003102.5 | 申请日： | 2018-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN109643651B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 中村真也;逸见充则;藤井佳词;池田佳广 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/306;H10B41/27;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人： | 齐永红 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在被湿蚀刻时具有优异控制性的蚀刻停止层及半导体器件的制造方法。当通过干蚀刻在一方向上蚀刻被蚀刻层(Le)时，在被蚀刻层的蚀刻推进方向前侧层压本发明的蚀刻停止层(Ls)，所述蚀刻停止层由含有20～50重量％的硼或钇的氧化铝膜(BAlOx膜,YAlOx膜)构成。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 停止 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻停止层，其特征在于：当通过干蚀刻在一方向上蚀刻被蚀刻层时，在被蚀刻层的蚀刻推进方向前侧层压所述蚀刻停止层；所述蚀刻停止层由含有20～50重量％的硼或钇的氧化铝膜构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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