[发明专利]一种发光二极管芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201880003520.4 | 申请日： | 2018-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN109791964A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 张灿源;黄少华;曾晓强;徐宸科 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/14;H01L33/20;H01L33/44;H01L33/48;H01L33/64;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管芯片，其第一电极和第二电极朝向正侧，第一导电层背侧与基板正侧直接连接，第一导电层正侧与第一类型半导体层的背侧接触面积大于第一类型半导体层面积的1.5%，第一导电层至少裸露出正侧一部分用于设置第一电极，第二导电层至少裸露出正侧一部分用于设置第二电极，裸露出的第一导电层和裸露出第二导电层等高，从凹处延伸的绝缘层覆盖在第二导电层的背侧，具有比较强的散热能力，避免或减少发光二极管芯片在大电流条件下寿命降低的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 第一导电层 发光二极管芯片 第二导电层 类型半导体 第二电极 第一电极 绝缘层覆盖 散热能力 侧接触 大电流 凹处 等高 延伸 制作 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片，具有：半导体层序列，其具有第一类型半导体层、第二类型半导体层和位于两者间设计用于产生辐射的有源层，其中第一类型半导体层位于半导体层序列的正侧，半导体层序列包含至少一个侧壁覆盖有绝缘层的凹处，凹处从半导体层序列的与正侧对置的背侧穿过有源层延伸到第一类型半导体层，第一导电层和第二导电层都位于半导体层序列的背侧，第二导电层与第二类型半导体层的背侧直接接触，与第一导电层连接的第一电极，借助第一导电层穿过凹处来电连接第一类型半导体层，与第二导电层连接的第二电极，第一导电层与第二导电层借助凹处延伸的绝缘层来彼此电绝缘，用于支撑和散热的基板；其特征在于：第一电极和第二电极朝向正侧，第一导电层背侧与基板正侧直接连接，第一导电层正侧与第一类型半导体层的背侧接触面积大于第一类型半导体层面积的1.5%，第一导电层至少裸露出正侧一部分用于设置第一电极，第二导电层至少裸露出正侧一部分用于设置第二电极，从凹处延伸的绝缘层覆盖在第二导电层的背侧。
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