[发明专利]具有高强度和高导电性的用于电气和电子部件及半导体的铜合金及其制备方法在审
| 申请号： | 201880003539.9 | 申请日： | 2018-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN109996898A | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 郭源信;郑敏载;崔俊宁 | 申请（专利权）人： | 株式会社豊山 |
| 主分类号： | C22C9/00 | 分类号： | C22C9/00;C22F1/08;B21B3/00 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;康志梅 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有高强度和高电导率的用于电气和电子部件及半导体的铜合金及其制备方法。所述铜合金包括0.09至0.20重量％的铁(Fe)、0.05至0.09重量％的磷(P)、0.05至0.20重量％的锰(Mn)、剩余量的铜(Cu)和0.05重量％或更少的不可避免的杂质，并具有470MPa或更大的拉伸强度、145Hv或更大的硬度、75％IACS或更大的电导率和400℃或更高的抗软化温度。 | ||
| 搜索关键词： | 铜合金 电子部件 制备 半导体 电导率 高导电性 高电导率 剩余量 拉伸 软化 | ||
【主权项】：
1.一种用于电气和电子部件及半导体的铜合金，包括：0.09至0.20重量％的铁(Fe)、0.05至0.09重量％的磷(P)、0.05至0.20重量％的锰(Mn)、剩余量的铜(Cu)和0.05重量％或更少的不可避免的杂质，所述不可避免的杂质包括选自由Si、Zn、Ca、Al、Ti、Be、Cr、Co、Ag和Zr组成的组中的至少一种；以及(FeMn)2P沉淀物，其中：所述(FeMn)2P沉淀物通过使用高分辨率透射电子显微镜(HR‑TEM)或场发射透射电子显微镜(FE‑TEM)以100000x或更大的放大倍率观察通过碳萃取复型方法制备的样品来测量，并且所述(FeMn)2P沉淀物具有50nm或更小的平均颗粒尺寸和1.0×1010/cm2或更大的面积密度；所述铜合金具有470Mpa或更大的拉伸强度、145Hv或更大的硬度、75％IACS或更大的电导率和400℃或更高的抗软化温度。
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