[发明专利]使用酰基卤的原子层蚀刻

摘要

提供一种对硅氧化膜、硅氮化膜进行原子层蚀刻的方法。通过重复进行以下3个步骤而进行原子层蚀刻(ALE)，所述3个步骤为：氢化步骤(1)，对硅氧化膜、硅氮化膜等照射包含H的等离子体而对表面进行氢化；酰基卤吸附步骤(2)，进行式Rf‑COX(式中，Rf为H或F或包含C及F的取代基或包含C、H及F的取代基或‑COX，各X独立地为F、Cl、Br、I中任意卤素原子)所示的酰基卤暴露，使酰基卤与氢化后的表面反应而使Rf‑COX化学吸附于表面；蚀刻步骤(3)，照射包含稀有气体(至少为He、Ar、Ne、Kr、Xe中的任一种)的等离子体，引起吸附有酰基卤的硅氧化膜、硅氮化膜表面的化学反应、进行一原子层厚的蚀刻。

主权项

1.一种原子层蚀刻方法，其特征在于，使用下述通式Rf‑COX所示的酰基卤，式Rf‑COX中，Rf为H或F或包含C及F的取代基或包含C、H及F的取代基或‑COX，各X独立地为F、Cl、Br、I中任意卤素原子。